UCC21550Q-Q1 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550Q-Q1 par Texas Instruments et UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550Q-Q1 UCC21540QDWKRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $2,21
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced) —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Programmable Dead Time Yes (single resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT Power MOSFET, IGBT, GaN
Température de fonctionnement -40C to +150C Wide temperature range (automotive)
Boîtier 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) AEC-Q100
Disable Function Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: VDD range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)

Fiches techniques et ressources

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