W9751G6KB-25-TR vs W9751G6KB-25 Comparación

Comparación detallada lado a lado de W9751G6KB-25-TR por Winbond y W9751G6KB-25 por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro W9751G6KB-25-TR W9751G6KB-25
Marca Winbond Winbond
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,92
Tipo de memoria Volatile DRAM, DDR2 SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
Tamaño de memoria 512 Mbit (64 MB) 512 Mbit (32M x 16)
Organización de memoria 32M x 16 (8M words x 4 banks x 16 bits) 32M words x 16 bits
Interfaz Parallel, SSTL_18 —
Clock Frequency 400 MHz (DDR2-800) 400 MHz
Velocidad de datos 800 MT/s 800 MT/s
Access Time 57.5 ns (clock cycle) 57.5 ns (CAS latency timing window)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.7 V to 1.9 V (1.8 V nominal) —
Temperatura de funcionamiento 0 C to 85 C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Number of Banks 4 —
Burst Length 4, 8 (with burst chop) 4 or 8 (programmable)
On-Die Termination (ODT) Yes, programmable —
Self-Refresh / Power-Down Supported —
Encapsulado 84-WBGA (8 x 12.5 mm) 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS RoHS Compliant Compliant
Delivery Form Tape and Reel (TR) —
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Tensión de alimentación — 1.8 V typical
Tipo de interfaz — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Latencia CAS — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes

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