W9751G6KB-25-TR vs W9751G6KB-25 비교

다음의 상세 나란히 비교: W9751G6KB-25-TR 제조: Winbond 및 W9751G6KB-25 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 W9751G6KB-25-TR W9751G6KB-25
브랜드 Winbond Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.62 $0.92
메모리 유형 Volatile DRAM, DDR2 SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
메모리 크기 512 Mbit (64 MB) 512 Mbit (32M x 16)
메모리 구성 32M x 16 (8M words x 4 banks x 16 bits) 32M words x 16 bits
인터페이스 Parallel, SSTL_18 —
Clock Frequency 400 MHz (DDR2-800) 400 MHz
데이터 속도 800 MT/s 800 MT/s
Access Time 57.5 ns (clock cycle) 57.5 ns (CAS latency timing window)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.7 V to 1.9 V (1.8 V nominal) —
동작 온도 0 C to 85 C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Number of Banks 4 —
Burst Length 4, 8 (with burst chop) 4 or 8 (programmable)
On-Die Termination (ODT) Yes, programmable —
Self-Refresh / Power-Down Supported —
패키지 84-WBGA (8 x 12.5 mm) 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 RoHS Compliant Compliant
Delivery Form Tape and Reel (TR) —
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
공급 전압 — 1.8 V typical
인터페이스 유형 — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
CAS 레이턴시 — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes

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