YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16TB-062E:R Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion y MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | YZ48G16V-F9HPI-M | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Micron Technology |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Encapsulado | FBGA96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 | Parallel |
| Recuento de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | 16 bits |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Latencia CAS | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |