YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16TB-062E:R Сравнение

Подробное сравнение бок о бок YZ48G16V-F9HPI-M от Loongtion и MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Loongtion
YZ48G16V-F9HPI-M YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр YZ48G16V-F9HPI-M MT40A512M16TB-062E:R
Бренд Loongtion Micron Technology
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,60 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Организация памяти 512M x 16 —
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 MT/s
Корпус FBGA96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Диапазон рабочих температур -40°C to +85°C —
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 Parallel
Число выводов 96 —
Тип монтажа Surface Mount —
Статус RoHS Compliant Compliant
Industrial Grade Yes —
Compatible with Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B —
Разрядность шины данных 16 bits 16 bits
Refresh Auto-refresh —
Размер памяти — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
Задержка CAS — 22
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену