YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | YZ48G16V-F9HPI-M | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marque | Loongtion | Micron Technology |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Boîtier | FBGA96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +85°C | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | Parallel |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | 16 bits |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Latence CAS | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |