YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16TB-062E:R Comparação

Comparação detalhada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion e MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Loongtion
YZ48G16V-F9HPI-M YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro YZ48G16V-F9HPI-M MT40A512M16TB-062E:R
Marca Loongtion Micron Technology
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,60 $60,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 —
Taxa de dados 3200 MT/s 3200 MT/s
Encapsulamento FBGA96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +85°C —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 Parallel
Contagem de pinos 96 —
Tipo de montagem Surface Mount —
Status RoHS Compliant Compliant
Industrial Grade Yes —
Compatible with Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B —
Largura do barramento de dados 16 bits 16 bits
Refresh Auto-refresh —
Tamanho da memória — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
Latência CAS — 22
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Temperatura de operação — 0°C to +95°C
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Recursos — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Fichas técnicas e recursos

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