1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon و 1EDI3033ASXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1EDI3033ASXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| تعداد خروجی‌ها | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| زمان صعود | 15 ns | — |
| زمان افت | 30 ns | — |
| دمای کاری | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| بسته‌بندی | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-20-91 (wide-body) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| عملکرد | — | Isolated single-channel gate driver |
| Technology | — | Coreless transformer isolation |
| Output Current (Source/Sink) | — | 12 A typical |
| Isolation Voltage (Vrms) | — | 5700 Vrms |
| Number of Channels | — | 1 |
| Propagation Delay | — | 60 ns typical |
| Target Power Device | — | SiC MOSFET, IGBT |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Short-Circuit Protection | — | DESAT with programmable blanking |
| Miller Clamp | — | Active Miller clamp integrated |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Functional Safety | — | ISO 26262 ASIL D ready |
| Creepage Distance | — | 8 mm (typical for wide-body DSO-20) |
| Compliance | — | RoHS compliant |