1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EDI3033ASXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI3033ASXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 30 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-20-91 (wide-body)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant —
פונקציה — Isolated single-channel gate driver
Technology — Coreless transformer isolation
Output Current (Source/Sink) — 12 A typical
Isolation Voltage (Vrms) — 5700 Vrms
Number of Channels — 1
Propagation Delay — 60 ns typical
Target Power Device — SiC MOSFET, IGBT
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Short-Circuit Protection — DESAT with programmable blanking
Miller Clamp — Active Miller clamp integrated
Bootstrap Diode — Integrated
Functional Safety — ISO 26262 ASIL D ready
Creepage Distance — 8 mm (typical for wide-body DSO-20)
Compliance — RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר