1ED3124MU12HXUMA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MU12HXUMA1 توسط Infineon و 1ED3323MC12NXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3124MU12HXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
پیکربندی خروجی Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless Transformer (CT)
بسته‌بندی PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-16-40
Creepage Distance >8 mm —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
عملکرد — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Peak Source Current — 8.5 A
Peak Sink Current — 9 A
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت