2ED21834S06JXUMA1 vs IRS2184SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED21834S06JXUMA1 توسط Infineon و IRS2184SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED21834S06JXUMA1 IRS2184SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage Proprietary HVIC and latch-immune CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
بسته‌بندی PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (SOIC-8)
تعداد پین‌ها 14 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C -40C to +125C
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PbF suffix indicates lead-free)
Standard Reel Quantity 3000 —
تعداد خروجی‌ها — 2
Output Polarity — Non-Inverting
Offset Voltage (High-Side) — 600 V maximum
Peak Source Current — 1.9 A typical
Peak Sink Current — 2.3 A typical
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (UVLO protected)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت