2ED21834S06JXUMA1 vs IRS2184SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED21834S06JXUMA1 מאת Infineon ו IRS2184SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED21834S06JXUMA1 IRS2184SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage Proprietary HVIC and latch-immune CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
מארז PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (SOIC-8)
מספר פינים 14 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40C to +125C
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PbF suffix indicates lead-free)
Standard Reel Quantity 3000 —
מספר יציאות — 2
Output Polarity — Non-Inverting
Offset Voltage (High-Side) — 600 V maximum
Peak Source Current — 1.9 A typical
Peak Sink Current — 2.3 A typical
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (UVLO protected)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels]
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר