BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC010NE2LSIATMA1 توسط Infineon و BSC014NE2LSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (TJ) | — |
| تعداد پایه | 8 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |