BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC010NE2LSIATMA1 توسط Infineon و BSC094N06LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC010NE2LSIATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS™ 5 (logic-level)
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) —
تعداد پایه 8 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت