BSC014N06NSATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC030N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N06NSATMA1 | BSC030N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | OptiMOS 5 |
| Product Type | — | N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | 161 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 3.0 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=7 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 139 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55C to +150C |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive Logic | — | Standard 10V, compatible with 12V drive |
| Optimized Application | — | Synchronous Rectification |