BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014NE2LSIATMA1 توسط Infineon و BSC009NE2LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC009NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +150 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | — | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 255 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation (T_a) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (T_c) | — | 96 W |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C (TJ) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) |
| تعداد پایه | — | 8 |