BSC019N04NSGATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC019N04NSGATMA1 توسط Infineon و BSC022N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC019N04NSGATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (trench) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| تعداد پایه | — | 8 |
| دمای کاری | — | -55 C to +175 C (junction) |