BSC039N06NSATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC039N06NSATMA1 توسط Infineon و BSZ060NE2LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC039N06NSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] 44 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
Shipping Packaging — Tape & Reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت