BSC0504NSIATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon و BSC014N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0504NSIATMA1 BSC014N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
وضعیت RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
سطح MSL — 1
Technology — OptiMOS 5 (shielded-gate trench)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت