BSC0504NSIATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon و BSC059N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0504NSIATMA1 BSC059N04LS6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
وضعیت RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Technology — OptiMOS 6 (N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 49 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C — 59 A
On-Resistance RDS(on) max — 5.9 mOhm at VGS=10 V
Total Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Total Power Dissipation at TC=25C — 38 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Diode Continuous Forward Current (IS) — 38 A at TC=25C
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 236 A at TC=25C
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت