BSC0504NSIATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0504NSIATMA1 bằng Infineon và BSC059N04LS6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching
BSC0504NSIATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0504NSIATMA1 | BSC059N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Kháng nhiệt | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | — | 59 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 5.9 mOhm at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Total Power Dissipation at TC=25C | — | 38 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 38 A at TC=25C |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 236 A at TC=25C |
| Lead-Free | — | Yes |