BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC074N15NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC074N15NS5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| بسته‌بندی | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +175 C |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |