BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC016N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC076N06NS3GATMA1 BSC016N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 71 nC
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Compliant —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product page) —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
وضعیت RoHS — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت