BSC0906NSATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0906NSATMA1 توسط Infineon و BSC0902NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC0906NSATMA1 | BSC0902NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (junction) |
| تعداد پایه | 8 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 30V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | — | 24 nC |
| Output Charge QOSS | — | 17 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Built-in Diode | — | Yes (single with built-in diode) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |