BSC120N03LSGATMA1 vs BSC0901NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC120N03LSGATMA1 توسط Infineon و BSC0901NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC120N03LSGATMA1 BSC0901NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) -55C to +150C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت