BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC360N15NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC098N10NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC360N15NS3GATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Avalanche Energy Rated Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت