BSP135H6906XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP135H6906XTSA1 توسط Infineon و BSP315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP135H6906XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) OptiMOS (enhancement mode)
سطح MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت