BSS192PH6327FTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS192PH6327FTSA1 توسط Infineon و BSP315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS192PH6327FTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (enhancement mode) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 1 W (Ta) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8 V, 10 V | — |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] | — |
| Vgs(th) (Max) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] | — |
| Vgs(th) (Typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] | — |
| بستهبندی | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] | -55 C to +150 C (junction) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per distributor listing) | — |
| Series | SIPMOS Small-Signal-Transistor | — |
| Part Status | Active | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |