BSZ031NE2LS5ATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ031NE2LS5ATMA1 توسط Infineon و IPD50N03S4L06ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ031NE2LS5ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C -55 C to +175 C
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL] MSL1 (up to 260 C peak reflow)
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Green Package)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) — 5.5 mOhm at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 2.2 V
Total Gate Charge (Q_g) — 31 nC at V_GS = 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 2.33 nF
Output Capacitance (C_oss) — 600 pF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 34 pF
Power Dissipation (P_D) — 56 W at Tc = 25 C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت