BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ060NE2LSATMA1 توسط Infineon و BSC011N03LSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ060NE2LSATMA1 BSC011N03LSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Shipping Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS™ 30 V
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت