H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NAFR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) |
| Data Rate Class | — | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |