H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-xxC توسط SK hynix و MT41K256M16HA-125:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-xxC | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 2666 Mbps (VKC speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L) |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| تأخیر CAS | — | 13.75 ns |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +95°C (TC) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |