H5AN8G8NCJR-PBC vs H5ANAG8NBJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NCJR-PBC توسط SK hynix و H5ANAG8NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NCJR-PBC | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb (1 GB) | — |
| سازمان | 1G x 8 (x8) | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| ویژگی‌ها | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| وضعیت RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| نوع رابط | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | BJR |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |