IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUA180N04S5N012AUMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
بسته‌بندی PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (Tj) —
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per part number suffix)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت