IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC100N04S6N028ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |