IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC120N04S6N009ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
جریان درین پالسی [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
سطح MSL 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS 7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت