IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L042GATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V OptiMOS 7
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A 147 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت