IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L050HATMA1 توسط Infineon و IAUA180N04S5N012AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUCN04S7L050HATMA1 | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | OptiMOS-5 40 V |
| Configuration | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | 65 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.04 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 40 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) | AEC-Q101 |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V | OptiMOS-5 Trench |
| Part Number | — | IAUA180N04S5N012AUMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 180 A (Tc) |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 125 W (Tc) |
| R_DS(on) (max) | — | 1.2 mΩ at 10 V VGS |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |