IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L050HATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7L028ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) AEC-Q101
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
اتلاف توان (Ptot) — 58 W

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت