IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N006ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S6N009TATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 6 trench MOSFET
بسته‌بندی PG-TDSON-8-43 PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) Yes / Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت