IPB051N15NM6ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB051N15NM6ATMA1 توسط Infineon و BSC050N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB051N15NM6ATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 139 A | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | 5.1 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 51 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 234 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Drain, Source, Gate) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |