IPB051N15NM6ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB051N15NM6ATMA1 מאת Infineon ו BSC050N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB051N15NM6ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 139 A —
RDS(on) Typical at VGS=10 V 5.1 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typical 51 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 234 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C -55C to +150C
מארז / Case PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Drain, Source, Gate) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Rated Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Technology — OptiMOS 3 (trench MOSFET)
מארז — PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר