IPB081N06L3GATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB081N06L3GATMA1 توسط Infineon و IPD031N03LGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB081N06L3GATMA1 IPD031N03LGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
بسته‌بندی PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited) 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
دمای کاری — -55 °C to +175 °C (junction)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت