IPB081N06L3GATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB081N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD031N03LGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB081N06L3GATMA1 IPD031N03LGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C (junction)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں