IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB35N10S3L26ATMA1 توسط Infineon و IPB35N10S3L26ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB35N10S3L26ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | OptiMOS Power-Transistor |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Package Type | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | 26.3 mΩ | — |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80 nC | — |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | 1.7 mΩ (per RS Components listing) | — |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | — |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81 W (per RS Components listing) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| جریان درین پالسی | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| بسته‌بندی | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| تعداد پین‌ها | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |