IPD038N06N3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD038N06N3GATMA1 توسط Infineon و IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD038N06N3GATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Series | OptiMOS 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Polarity | N-Channel | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| تعداد پایه | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |