IPD038N06N3GATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD038N06N3GATMA1 מאת Infineon ו IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD038N06N3GATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Series | OptiMOS 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Polarity | N-Channel | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מספר פינים | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |