IPD60R380C6ATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R380C6ATMA1 توسط Infineon و IPB60R165CPATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R380C6ATMA1 IPB60R165CPATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
FET Type N-Channel —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت