IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP069N20NM6AKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP075N15N3GXKSA1 توسط Infineon و IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP075N15N3GXKSA1 IPP069N20NM6AKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
بسته‌بندی PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
نوع نصب Through Hole Through Hole
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 136 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
سطح MSL — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت