IPT019N08N5ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPT019N08N5ATMA1 توسط Infineon و IAUC120N04S6N010ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 - 80V, 1.9mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPT019N08N5ATMA1 - 80V, 1.9mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPT019N08N5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPT019N08N5ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 80V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 247 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 32 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 1.9 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 231 W —
بسته‌بندی PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Technology OptiMOS 5 (stripe-cell trench) OptiMOS 6
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Body Diode Monolithic, third-quadrant optimized —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Qualification Industrial grade (AEC-Q101 variant available separately) —
Packing Tape & Reel (TMA1 suffix) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت